| Формирование ВЧ-разряда в активной среде лазеров на парах металлов |
1113 |
1580 |
488 |
| Энергетические характеристики параметрического генератора на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для лидарных систем и дистанционного газоанализа |
598 |
593 |
9 |
| Разработка дихроичного зеркала на основе Nb2O5/SiO2 для ЛИДАРных систем |
3698 |
3686 |
9 |
| Диагностика включений в кристаллах ZnGeP2 методом терагерцовой спектроскопии |
2778 |
2771 |
6 |
| Релаксация метастабильных состояний в лазерах на самоограниченных переходах |
1026 |
1473 |
503 |
| Разработка тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2 |
3016 |
3007 |
3 |
| Лазеры на парах металлов с бестиратронным источником питания |
1347 |
1556 |
235 |
| Определение влияния магнитореологической полировки рабочих поверхностей монокристалл ZnGeP2 на изменение порога оптического пробоя |
1345 |
1434 |
106 |
| Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP2 посредством цифровой голографии |
1397 |
1393 |
5 |
| Оптимальные режимы накачки параметрического генератора света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 |
603 |
811 |
237 |
| Точность определения продольных координат частиц методом цифровой голографии |
1034 |
1096 |
118 |
| Энергетические характеристики лазера на парах стронция при газоразрядном способе возбуждения: магистерская диссертация по направлению подготовки: 12.04.03 - Фотоника и оптоинформатика |
753 |
1802 |
1136 |
| Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция |
1751 |
1949 |
225 |
| Физические подходы к разработке двухкаскадного терагерцового лазера с генерацией излучения разностной частоты в нелинейно-оптическом кристалле ZnGeP2 |
1288 |
1707 |
447 |
| Подавление когерентных шумов на цифровых голографических изображениях |
843 |
883 |
48 |
| Проекционная система для исследования оптического пробоя монокристаллических материалов прозрачных в ИК диапазоне спектра |
788 |
938 |
173 |
| Эффективность накачки активной среды лазеров на самоограниченных переходах атомов металлов с частичным разрядом накопительного конденсатора: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия |
171 |
376 |
213 |
| Влияние термических отжигов на диэлектрические свойства кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот |
704 |
836 |
148 |
| Методы цифровой голографии для исследования механизма оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 |
570 |
777 |
223 |
| Лазер на парах стронция с оптической накачкой активной среды |
1142 |
1490 |
397 |
| Влияние магнитореологической полировки рабочей поверхности ZnGeP2 на оптическую прочность кристалла |
489 |
543 |
56 |
| Лазеры на парах металлов со средней мощностью ~ 5 Вт |
2688 |
2955 |
292 |
| Исследование оптических свойств монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te |
408 |
489 |
83 |
| Влияние состава и морфологии диэлектрических зеркал для лазерных источников лидарных комплексов на их порог оптического пробоя |
762 |
826 |
66 |
| Моделирование процесса формирования высокоскоростной волны ионизации в активной среде лазеров на парах металлов |
714 |
957 |
264 |
| Порог лазерного разрушения нелинейных кристаллов GaSe и GaSe:In на длине волны 2091 нм |
1127 |
1288 |
182 |
| Просветляющие интерференционные оксидные покрытия среднего ИК-диапазона для полупроводниковых оптических подложек |
1929 |
1926 |
8 |
| Влияние электрофизических процессов в разрядном контуре на энергетические характеристики лазера на парах меди |
918 |
1169 |
263 |
| Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2 |
1540 |
1634 |
114 |
| О механизме оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 |
789 |
974 |
191 |
| Влияние параметров лазерной закалки на порог оптического пробоя поверхности монокристаллов |
418 |
462 |
48 |
| Двухволновая цифровая голографическая камера с использованием лазера на парах меди |
92 |
159 |
71 |
| О механизме ограничения частотно-энергетических характеристик лазеров на парах металлов |
1359 |
1557 |
234 |
| О механизме ограничения частотно-энергетических характеристик лазеров на самоограниченных переходах атомов металлов |
144 |
183 |
42 |
| Ионная очистка поверхностей Ge-подложек перед ионно-лучевым напылением тонких пленок |
1618 |
1658 |
71 |
| Система машинного зрения на основе методов цифровой голографии и сверточных нейронных сетей для дефектоскопии заготовок нелинейных монокристаллов среднего ИК и УФ диапазона |
349 |
440 |
98 |
| Визуализация и характеризация предпробойных процессов в объеме монокристалла ZnGeP2 во время параметрической генерации излучения в диапазоне длин волн 3.5–5 мкм при накачке излучением Ho:YAG-лазера |
5087 |
5070 |
5 |
| Лучевая прочность тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2 |
2828 |
2816 |
4 |
| Материалы и технологии фотоники, электроники и нелинейной оптики : материалы Всероссийской конференции с международным участием, 10-13 сентября 2024 г |
1107 |
1248 |
262 |
| О возможности генерации ТГц-излучения на разностной частоте в монокристалле ZnGeP2 при накачке излучением лазера на парах стронция |
594 |
887 |
313 |
| Адаптация теории интерферометра Фабри-Перо для обработки данных терагерцовой спектроскопии ZnGeP2 |
673 |
883 |
220 |
| Генерация ТГц-излучения на разностной частоте в ZnGeP2 при накачке излучением стронциевого лазера |
1033 |
1301 |
284 |
| Пробой в активных средах с высокой проводимостью плазмы |
352 |
472 |
126 |
| Физические принципы создания перестраиваемого терагерцового лазера |
585 |
790 |
213 |
| Параметрический генератор света на базе нелинейного кристалла ZnGeP2 для дистанционного обнаружения утечек метана |
1445 |
1671 |
236 |
| Влияние разряда на энергетические характеристики лазеров на парах металлов |
650 |
889 |
246 |
| О возможности модернизации лазера на парах меди "Малахит" |
788 |
1034 |
271 |
| Идентификация полос роста монокристаллов ZnGeP2 методом цифровой голографии |
1679 |
1734 |
61 |
| Выращивание монокристалла дифосфида цинка-германия сильнолегированного Te с помощью оригинальной технологии легирования |
413 |
460 |
53 |
| Узкополосные фильтры ближнего ИК-диапазона для систем дистанционного газоанализа |
2860 |
2843 |
2 |
| Эффективность накачки активной среды лазеров на парах металлов: газоразрядные трубки с электродами в горячей зоне разрядного канала |
231 |
281 |
54 |
| Влияние технологии постростовой обработки на порог оптического пробоя монокристалла ZnGeP2 |
4105 |
4072 |
10 |
| Влияние плазменного травления на порог оптического пробоя нелинейных кристаллов ZnGeP2 в области длин волн ~2.1 мкм |
533 |
525 |
2 |
| Диэлектрическое поляризационное зеркало для систем ПГС среднего ИК-диапазона |
3313 |
3413 |
132 |
| Эффективность накачки лазеров на парах металлов |
634 |
776 |
152 |
| Перестраиваемый в диапазоне длин волн 3.3−4.2 мкм параметрический генератор света на базе монокристалла ZnGeP2 со спектральной шириной генерируемого излучения 1 см–1 |
6588 |
6532 |
4 |
| Однорезонаторный параметрический генератор света на базе монокристалла ZGP с прямой накачкой излучением Tm:YLF-лазера |
38 |
36 |
3 |
| Диффузионное легирование, как способ повышения порога оптического пробоя монокристалла дифосфида цинка-германия |
1788 |
1893 |
120 |
| Эффективность накачки лазера на парах золота в режиме "отсечки" энерговклада |
1075 |
1316 |
252 |
| Лазер на парах меди для медицины |
655 |
966 |
334 |
